STP200N3LL
Número de pieza:
STP200N3LL
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
28882 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.STP200N3LL.pdf2.STP200N3LL.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.4 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):176.5W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:497-16935
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:53nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 120A (Tc) 176.5W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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