STD155N3LH6
STD155N3LH6
Número de pieza:
STD155N3LH6
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
44608 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
STD155N3LH6.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-11308-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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