STB100N6F7
STB100N6F7
Número de pieza:
STB100N6F7
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
49738 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
STB100N6F7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:STripFET™ F7
RDS (Max) @Id, Vgs:5.6 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:497-15894-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1980pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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