SSR21H-13120 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SSR21H-13120, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SSR21H-13120 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SSR21H-13120 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SSR21H-13120
- Número de pieza:
- SSR21H-13120
- Fabricante:
- KEMET
- Descripción:
- CMC 12MH 1.3A 2LN TH
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 48927 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SSR21H-13120.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Clasificación de voltaje - CC: | 250V |
| Clasificación de voltaje - CA: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.906" L x 0.906" W (23.00mm x 23.00mm) |
| Serie: | SSR21H |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Vertical, 4 PC Pin |
| Otros nombres: | 399-10773 |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 120°C |
| Número de líneas: | 2 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inductancia @ Frecuencia: | 12mH @ 10kHz |
| Altura (Max): | 0.571" (14.50mm) |
| Tipo de filtro: | Power Line |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción detallada: | 12mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.3A DCR 240 mOhm |
| Resistencia DC (DCR) (Max): | 240 mOhm |
| Frecuencia de corte: | 1.3A |
| aprobaciones: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SSR21H-13120
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash