SRN6045TA-331K está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SRN6045TA-331K, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SRN6045TA-331K por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SRN6045TA-331K con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SRN6045TA-331K
- Número de pieza:
- SRN6045TA-331K
- Fabricante:
- Bourns, Inc.
- Descripción:
- FIXED IND 330UH 550MA 1.68 OHM
- Cantidad de stock:
- 48061 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SRN6045TA-331K.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±10% |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
| blindaje: | Semi-Shielded |
| Serie: | SRN6045TA |
| calificaciones: | AEC-Q200 |
| Q según frecuencia: | 15 @ 1MHz |
| Paquete / Cubierta: | Nonstandard |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 1MHz |
| Inductancia: | 330µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.177" (4.50mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 4MHz |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción detallada: | 330µH Semi-Shielded Wirewound Inductor 550mA 1.68 Ohm Max Nonstandard |
| Resistencia de CC (DCR): | 1.68 Ohm Max |
| Valoración actual: | 550mA |
| Corriente - Saturación: | 600mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SRN6045TA-331K
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos