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SQS481ENW-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQS481ENW-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8
- Cantidad de stock:
- 29886 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SQS481ENW-T1_GE3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.095 Ohm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 62.5W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® 1212-8 |
| Otros nombres: | SQS481ENW-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 385pF @ 75V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
| Descripción detallada: | P-Channel 150V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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