SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3
Número de pieza:
SQM40022E_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CHAN 40V
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
33786 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SQM40022E_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D²Pak)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.63 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SQM40022E_GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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