SQJ844AEP-T1_GE3
SQJ844AEP-T1_GE3
Número de pieza:
SQJ844AEP-T1_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
48971 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SQJ844AEP-T1_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:16.6 mOhm @ 7.6A, 10V
Potencia - Max:48W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SQJ844AEP-T1-GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1161pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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