SNDJ-D3C-G01 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SNDJ-D3C-G01, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SNDJ-D3C-G01 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SNDJ-D3C-G01 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SNDJ-D3C-G01
- Número de pieza:
- SNDJ-D3C-G01
- Fabricante:
- Honeywell Sensing and Productivity Solutions
- Descripción:
- SENSOR HALL DIGITAL CONNECTOR
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 53492 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SNDJ-D3C-G01.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 8 V ~ 32 V |
| Tipo: | Hall Effect Sensor |
| Estilo de terminación: | Connector |
| Serie: | SNDJ |
| Paquete / Cubierta: | Barrel, Stainless Steel, Flange Mount |
| Tipo de salida: | Digital |
| Otros nombres: | 480-2821 SNDJD3CG01 |
| Temperatura de funcionamiento: | -20°C ~ 100°C (TA) |
| debe desconectarse: | - |
| debe funcionar: | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia: | 25kHz |
| Descripción detallada: | Magnetic Hall Effect Sensor Ferrous Metals, Gear Tooth Digital Connector Barrel, Stainless Steel, Flange Mount |
| material del actuador: | Ferrous Metals, Gear Tooth |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SNDJ-D3C-G01
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos