SIT8208AI-8-25S está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SIT8208AI-8-25S, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SIT8208AI-8-25S por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SIT8208AI-8-25S con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SIT8208AI-8-25S
- Número de pieza:
- SIT8208AI-8-25S
- Fabricante:
- SiTime
- Descripción:
- OSC PROG LVCMOS 2.5V 20PPM STBY
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 55764 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.SIT8208AI-8-25S.pdf2.SIT8208AI-8-25S.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 2.5V |
| Tipo: | XO (Standard) |
| Spread Spectrum ancho de banda: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Serie: | SiT8208 |
| calificaciones: | - |
| tipo programable: | Programmed by Digi-Key (Enter your frequency in Web Order Notes) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, No Lead |
| Salida: | LVCMOS, LVTTL |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura: | 0.039" (1.00mm) |
| Función: | Standby |
| Estabilidad de Frecuencia (Total): | - |
| Estabilidad de frecuencia: | ±20ppm |
| Descripción detallada: | XO (Standard) LVCMOS, LVTTL 1MHz ~ 80MHz Programmable Oscillator 2.5V Standby 4-SMD, No Lead |
| Corriente - Fuente (Max): | 33mA |
| Corriente - Fuente (Deshabilitar) (Max): | 70µA |
| Resonador de Base: | MEMS |
| Rango de frecuencia disponibles: | 1MHz ~ 80MHz |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SIT8208AI-8-25S
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga