SIR610DP-T1-RE3
SIR610DP-T1-RE3
Número de pieza:
SIR610DP-T1-RE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
47696 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SIR610DP-T1-RE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8
Serie:ThunderFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31.9 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):104W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8
Otros nombres:SIR610DP-T1-RE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:35.4A (Tc)
Email:[email protected]

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