SIDC81D120H6X1SA2 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SIDC81D120H6X1SA2, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SIDC81D120H6X1SA2 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SIDC81D120H6X1SA2 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SIDC81D120H6X1SA2
- Número de pieza:
- SIDC81D120H6X1SA2
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 150A WAFER
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 28321 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SIDC81D120H6X1SA2.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.6V @ 150A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V |
| Paquete del dispositivo: | Sawn on foil |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Die |
| Otros nombres: | SIDC81D120H6 SIDC81D120H6-ND SP000013213 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 1200V 150A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 27µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 150A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SIDC81D120H6X1SA2
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos