SI9102DN02-E3 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI9102DN02-E3, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI9102DN02-E3 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI9102DN02-E3 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI9102DN02-E3
- Número de pieza:
- SI9102DN02-E3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- IC REG FLYBACK FWRD ISO 20PLCC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 20864 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI9102DN02-E3.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | - |
| Salida de voltaje - (Max): | - |
| Tensión - Entrada (Min): | 10V |
| Tensión - Entrada (Max): | 120V |
| topología: | Flyback, Forward Converter |
| rectificador síncrono: | No |
| Paquete del dispositivo: | 20-PLCC (9x9) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 20-LCC (J-Lead) |
| Tipo de salida: | - |
| Configuración de salida: | Positive, Isolation Capable |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Función: | Step-Up/Step-Down |
| Frecuencia - Conmutación: | 40kHz ~ 1MHz |
| Descripción detallada: | Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive, Isolation Capable 1 Output 20-LCC (J-Lead) |
| Corriente - Salida: | - |
| Número de pieza base: | SI9102 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI9102DN02-E3
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash