SI7997DP-T1-GE3
SI7997DP-T1-GE3
Número de pieza:
SI7997DP-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
59041 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SI7997DP-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:46W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DPT1GE3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6200pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:160nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A
Número de pieza base:SI7997
Email:[email protected]

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