SI7913DN-T1-E3
SI7913DN-T1-E3
Número de pieza:
SI7913DN-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
23267 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SI7913DN-T1-E3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Potencia - Max:1.3W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® 1212-8 Dual
Otros nombres:SI7913DN-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A
Número de pieza base:SI7913
Email:[email protected]

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