SI4542DY está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SI4542DY, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SI4542DY por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SI4542DY con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SI4542DY
- Número de pieza:
- SI4542DY
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 54745 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI4542DY.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | PowerTrench® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4542DYCT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A 1W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Número de pieza base: | SI4542D |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SI4542DY
Latest Noticias
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED
- Ansonmei lanzó un sensor de posición inductiva para el mercado industrial y de transporte
- Ruisa comienza la antigua fábrica para aumentar el dispositivo de energía, el terremoto afecta la salida DRAM
- Microchip permite la capacidad de producción de TSMC y aumenta los aumentos de los precios
- Ruisa lanzó la nueva serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lanza un chip de interruptor inductor integrado completo
- X-FAB presenta la tecnología de iluminación del sensor de imágenes para mejorar el rendimiento del sensor CMOS
- La gran fábrica de chips se vio afectada por el terremoto: ¿TSMC dejó de funcionar con urgencia, exacerbando el suministro de GPU en escasez de suministro?
- La memoria flash nand continúa, MCU Destocking Bottom es correcto
- Debajo de la salida aérea de AI, los dos gigantes de chips principales son "no fuertes": destrozar el dinero para romper el juego, apostar en 2025 batallas de equipo