SI4532DY
SI4532DY
Número de pieza:
SI4532DY
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
30227 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
SI4532DY.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:65 mOhm @ 3.9A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SI4532DY-ND
SI4532DYTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.9A, 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.9A, 3.5A
Número de pieza base:SI4532D
Email:[email protected]

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