SH8J66TB1
SH8J66TB1
Número de pieza:
SH8J66TB1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
53689 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.SH8J66TB1.pdf2.SH8J66TB1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:18.5 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max:2W
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:SH8J66TB1DKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:35nC @ 5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A
Número de pieza base:*J66
Email:[email protected]

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