SBC2-1R0-612 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para SBC2-1R0-612, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para SBC2-1R0-612 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre SBC2-1R0-612 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
SBC2-1R0-612
- Número de pieza:
- SBC2-1R0-612
- Fabricante:
- KEMET
- Descripción:
- FIXED IND 1UH 6.1A 10 MOHM TH
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 26573 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SBC2-1R0-612.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Tamaño / Medidas: | 0.276" Dia (7.00mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | SBC |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial, Vertical Cylinder |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 54 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 10kHz |
| Inductancia: | 1µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.315" (8.00mm) |
| Frequency - Self Resonant: | - |
| Descripción detallada: | 1µH Unshielded Wirewound Inductor 6.1A 10 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder |
| Resistencia de CC (DCR): | 10 mOhm Max |
| Valoración actual: | 6.1A |
| Corriente - Saturación: | 6.4A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de SBC2-1R0-612
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC