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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > RSL020P03TR
RSL020P03TR
RSL020P03TR
Número de pieza:
RSL020P03TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
29322 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
RSL020P03TR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TUMT6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-SMD, Flat Leads
Otros nombres:RSL020P03TRTR
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:3.9nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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