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RR1LAM6STR
RR1LAM6STR
Número de pieza:
RR1LAM6STR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 1A PMDTM
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
58140 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.RR1LAM6STR.pdf2.RR1LAM6STR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:PMDTM
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOD-128
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Standard
Descripción detallada:Diode Standard 600V 1A Surface Mount PMDTM
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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