RLP73N1ER10JTD está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para RLP73N1ER10JTD, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para RLP73N1ER10JTD por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre RLP73N1ER10JTD con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
RLP73N1ER10JTD
- Número de pieza:
- RLP73N1ER10JTD
- Fabricante:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Descripción:
- RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 52689 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.RLP73N1ER10JTD.pdf2.RLP73N1ER10JTD.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tolerancia: | ±5% |
| Coeficiente de temperatura: | ±300ppm/°C |
| Paquete del dispositivo: | 0402 |
| Tamaño / Medidas: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Serie: | RL73, CGS |
| Paso de banda Ripple (Db): | 100 mOhms |
| Potencia (W): | 0.125W, 1/8W |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 0402 (1005 Metric) |
| Otros nombres: | A109726DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 155°C |
| No. de terminaciones: | 2 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.017" (0.43mm) |
| Caracteristicas: | Current Sense |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 100 mOhms ±5% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Current Sense Thick Film |
| Composición: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de RLP73N1ER10JTD
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash