R10S-E2Z1-J16.0K está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para R10S-E2Z1-J16.0K, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para R10S-E2Z1-J16.0K por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre R10S-E2Z1-J16.0K con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
R10S-E2Z1-J16.0K
- Número de pieza:
- R10S-E2Z1-J16.0K
- Fabricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descripción:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 120V
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35130 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.R10S-E2Z1-J16.0K.pdf2.R10S-E2Z1-J16.0K.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Activar Voltaje (Max): | - |
| Voltaje de apagado (Min): | - |
| Estilo de terminación: | PC Pin |
| Tensión de conmutación: | 120VAC, 30VDC - Max |
| Serie: | R10 |
| Tipo de relé: | General Purpose |
| embalaje: | Bulk |
| Otros nombres: | 8-1393769-6 PB2965 R10S-E2Z1-J16.0K-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 75°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | Not Applicable |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción detallada: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole |
| Clasificación de contacto (actual): | 2A |
| material de los contactos: | Silver (Ag) |
| Formulario de contacto: | SPDT (1 Form C) |
| Voltaje de la bobina: | - |
| Tipo de bobina: | Non Latching |
| Resistencia de la bobina: | 16 kOhms |
| Potencia de la bobina: | 10 mW |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de R10S-E2Z1-J16.0K
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga