QSB60024S32 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para QSB60024S32, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para QSB60024S32 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre QSB60024S32 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
QSB60024S32
- Número de pieza:
- QSB60024S32
- Fabricante:
- XP Power
- Descripción:
- DC DC CONVERTER 32V 600W
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 54329 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- QSB60024S32.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Salida de voltaje - 4: | - |
| Salida de voltaje - 3: | - |
| Tensión - Salida 2: | - |
| Salida de voltaje - 1: | 32V |
| Voltaje - Aislamiento: | 1.5kV |
| Tensión - Entrada (Min): | 18V |
| Tensión - Entrada (Max): | 36V |
| Tipo: | Isolated Module |
| Tamaño / Medidas: | 4.60" L x 2.40" W x 0.50" H (116.8mm x 61.0mm x 12.7mm) |
| Serie: | QSB |
| Potencia (W): | 608W |
| embalaje: | Box |
| Paquete / Cubierta: | 16-DIP Module |
| Otros nombres: | 1470-4184 QSB60024S32-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 100°C |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 11 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, SCP |
| Eficiencia: | 91% |
| Descripción detallada: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 32V 19A 18V - 36V Input |
| Corriente - Salida (Max): | 19A |
| Funciones de control: | Enable, Active High |
| aplicaciones: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de QSB60024S32
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga