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QH8MA2TCR
- Número de pieza:
- QH8MA2TCR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 30461 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.QH8MA2TCR.pdf2.QH8MA2TCR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.25W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres: | QH8MA2TCRCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 365pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A, 3A |
| Email: | [email protected] |
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