PMEG4005CT,215 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para PMEG4005CT,215, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para PMEG4005CT,215 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre PMEG4005CT,215 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
PMEG4005CT,215
- Número de pieza:
- PMEG4005CT,215
- Fabricante:
- Nexperia
- Descripción:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 42609 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PMEG4005CT,215.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 470mV @ 500mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 40V |
| Paquete del dispositivo: | TO-236AB (SOT23) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 13ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 1727-5210-2 568-6522-2 568-6522-2-ND 934061753215 PMEG4005CT,215-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40V 500mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 40V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 500mA |
| Número de pieza base: | PMEG4005CT |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PMEG4005CT,215
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
PMEG4005ET,215 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT23 | Investigación |
 |
PMEG4005EH,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F | Investigación |
 |
PMEG4005AEAZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Investigación |
 |
PMEG4005AEV,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOT666 | Investigación |
 |
PMEG4005AEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Investigación |
 |
PMEG4005EPK,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DFN | Investigación |
 |
PMEG4005EGWX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123 | Investigación |
|
PMEG4005AEAF | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Investigación |
 |
PMEG4010AESBZ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2 | Investigación |
 |
PMEG4005EJ,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323F | Investigación |
 |
PMEG4002ESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.2A SOD962 | Investigación |
|
PMEG4005AEA/8X | Nexperia | SCHOTTKY DIODE | Investigación |
|
PMEG4010AESBYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD993 | Investigación |
|
PMEG4005CEAX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323 | Investigación |
|
PMEG4005EGWJ | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123 | Investigación |
|
PMEG4005CEJX | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SC90 | Investigación |
|
PMEG4005AESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOD962 | Investigación |
|
PMEG4005ESFYL | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOD962 | Investigación |
|
PMEG4010BEA,115 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323 | Investigación |
 |
PMEG4002ELD,315 | Nexperia | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD882D | Investigación |
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash