PMDPB30XN,115
PMDPB30XN,115
Número de pieza:
PMDPB30XN,115
Fabricante:
Nexperia
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
37135 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
PMDPB30XN,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:900mV @ 250µA
Paquete del dispositivo:6-HUSON-EP (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:40 mOhm @ 3A, 4.5V
Potencia - Max:490mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres:1727-1328-2
568-10756-2
568-10756-2-ND
934066581115
PMDPB30XN,115-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:21.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 490mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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