PMDPB28UN,115
PMDPB28UN,115
Número de pieza:
PMDPB28UN,115
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
53462 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
PMDPB28UN,115.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Paquete del dispositivo:DFN2020-6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Potencia - Max:510mW
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres:568-10755-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:265pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.6A 510mW Surface Mount DFN2020-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A
Email:[email protected]

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