PM3316-151M está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para PM3316-151M, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para PM3316-151M por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre PM3316-151M con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
PM3316-151M
- Número de pieza:
- PM3316-151M
- Fabricante:
- Bourns, Inc.
- Descripción:
- FIXED IND 150UH 1A 400 MOHM SMD
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 44056 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- PM3316-151M.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±20% |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | PM3316 |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | Nonstandard |
| Otros nombres: | M9713TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 100kHz |
| Inductancia: | 150µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.209" (5.30mm) |
| Frequency - Self Resonant: | - |
| Descripción detallada: | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 400 mOhm Nonstandard |
| Resistencia de CC (DCR): | 400 mOhm |
| Valoración actual: | 1A |
| Corriente - Saturación: | 1A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de PM3316-151M
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC