PHU66NQ03LT,127
PHU66NQ03LT,127
Número de pieza:
PHU66NQ03LT,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 66A SPT533
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
27317 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
PHU66NQ03LT,127.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-PAK
Serie:TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:10.5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):93W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:934058327127
PHU66NQ03LT
PHU66NQ03LT-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:N-Channel 25V 66A (Tc) 93W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

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