P10R333K5-F está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para P10R333K5-F, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para P10R333K5-F por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre P10R333K5-F con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
P10R333K5-F
- Número de pieza:
- P10R333K5-F
- Fabricante:
- Cornell Dubilier Electronics
- Descripción:
- CAPACITOR CERAMIC AXIAL
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 20284 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- P10R333K5-F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Calificación: | 50V |
| Tolerancia: | ±10% |
| Espesor (máx): | - |
| Coeficiente de temperatura: | X7R |
| Tamaño / Medidas: | 0.100" Dia x 0.170" L (2.54mm x 4.32mm) |
| Serie: | P10 |
| calificaciones: | - |
| Paquete / Cubierta: | Axial |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estilo plomo: | Straight |
| Separación de terminales: | - |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | - |
| Caracteristicas: | - |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 0.033µF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R Axial |
| Capacidad: | 0.033µF |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de P10R333K5-F
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido