NTLJF4156NT1G
NTLJF4156NT1G
Número de pieza:
NTLJF4156NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
36438 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTLJF4156NT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-WDFN (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:70 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):710mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:NTLJF4156NT1G-ND
NTLJF4156NT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:427pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tj)
Email:[email protected]

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