NTD4905N-35G
NTD4905N-35G
Número de pieza:
NTD4905N-35G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
42798 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTD4905N-35G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-PAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.4W (Ta), 44W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2340pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 12A (Ta), 67A (Tc) 1.4W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 67A (Tc)
Email:[email protected]

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