NP100P06PLG-E1-AY
NP100P06PLG-E1-AY
Número de pieza:
NP100P06PLG-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
42714 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NP100P06PLG-E1-AY.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.8W (Ta), 200W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:15000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:P-Channel 60V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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