NP100P06PLG-E1-AY
NP100P06PLG-E1-AY
Artikelnummer:
NP100P06PLG-E1-AY
Hersteller:
Renesas Electronics America
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
42714 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
NP100P06PLG-E1-AY.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max):1.8W (Ta), 200W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:15000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:P-Channel 60V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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