NGTB40N120FL2WG está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para NGTB40N120FL2WG, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para NGTB40N120FL2WG por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre NGTB40N120FL2WG con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
NGTB40N120FL2WG
- Número de pieza:
- NGTB40N120FL2WG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- IGBT 1200V 80A 535W TO247
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 53160 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NGTB40N120FL2WG.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 40A |
| Condición de prueba: | 600V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 116ns/286ns |
| Cambio de Energía: | 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 240ns |
| Potencia - Max: | 535W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | NGTB40N120FL2WGOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| puerta de carga: | 313nC |
| Descripción detallada: | IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 535W Through Hole TO-247 |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 200A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NGTB40N120FL2WG
Latest Noticias
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga
- Vishay lanza el embalaje minido de alto brillo pequeño azul y verde puro LED