NE55410GR-T3-AZ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para NE55410GR-T3-AZ, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para NE55410GR-T3-AZ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre NE55410GR-T3-AZ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
NE55410GR-T3-AZ
- Número de pieza:
- NE55410GR-T3-AZ
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 26863 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NE55410GR-T3-AZ.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 28V |
| Tensión - Calificación: | 65V |
| Tipo de transistor: | LDMOS |
| Paquete del dispositivo: | 16-HTSSOP |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 35.4dBm |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 16-DFF, Exposed Pad |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganancia: | 13.5dB |
| Frecuencia: | 2.14GHz |
| Descripción detallada: | RF Mosfet LDMOS 28V 20mA 2.14GHz 13.5dB 35.4dBm 16-HTSSOP |
| Valoración actual: | 250mA, 1A |
| Corriente - Prueba: | 20mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NE55410GR-T3-AZ
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC