NB100LVEP17MNG está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para NB100LVEP17MNG, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para NB100LVEP17MNG por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre NB100LVEP17MNG con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
NB100LVEP17MNG
- Número de pieza:
- NB100LVEP17MNG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- IC DRVR ECL QUAD 2.5V/3.3V 24QFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 36929 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- NB100LVEP17MNG.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión de alimentación: | 2.375 V ~ 3.8 V |
| Paquete del dispositivo: | 24-QFN (4x4) |
| Serie: | 100LVEP |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 24-VFQFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | NB100LVEP17MNGOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de bits: | 4 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Tipo de lógica: | Differential Receiver/Driver |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Differential Receiver/Driver IC 24-QFN (4x4) |
| Número de pieza base: | 100LVEP17 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de NB100LVEP17MNG
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos