MT41J512M4JE-15E:A está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MT41J512M4JE-15E:A, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MT41J512M4JE-15E:A por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MT41J512M4JE-15E:A con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MT41J512M4JE-15E:A
- Número de pieza:
- MT41J512M4JE-15E:A
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 2G PARALLEL 82FBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 34001 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MT41J512M4JE-15E:A.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR3 |
| Paquete del dispositivo: | 82-FBGA (12.5x15.5) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 82-FBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Gb (512M x 4) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 667MHz 13.5ns 82-FBGA (12.5x15.5) |
| Frecuencia de reloj: | 667MHz |
| Número de pieza base: | MT41J512M4 |
| Tiempo de acceso: | 13.5ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MT41J512M4JE-15E:A
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido