MSR3-0R05F1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MSR3-0R05F1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MSR3-0R05F1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MSR3-0R05F1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MSR3-0R05F1
- Número de pieza:
- MSR3-0R05F1
- Fabricante:
- Riedon
- Descripción:
- RES 0.05 OHM 3W 1% RADIAL
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 55115 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.MSR3-0R05F1.pdf2.MSR3-0R05F1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tolerancia: | ±1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±20ppm/°C |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.598" L x 0.067" W (15.20mm x 1.70mm) |
| Serie: | MSR |
| Paso de banda Ripple (Db): | 50 mOhms |
| Potencia (W): | 3W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial |
| Otros nombres: | 696-1645 MSR-3 0.050 OHM 1% MSR-3-0.050F MSR-3-0.050F-ND MSR3-0R05F MSR3-0R05F1-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 275°C |
| No. de terminaciones: | 2 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 1.000" (25.40mm) |
| Caracteristicas: | Current Sense |
| Tasa de fracaso: | - |
| Descripción detallada: | 50 mOhms ±1% 3W Through Hole Resistor Radial Current Sense Metal Element |
| Composición: | Metal Element |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MSR3-0R05F1
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash