MC33166D2TR4 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MC33166D2TR4, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MC33166D2TR4 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MC33166D2TR4 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MC33166D2TR4
- Número de pieza:
- MC33166D2TR4
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- IC REG BUCK BOOST INV ADJ D2PAK
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 41717 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MC33166D2TR4.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | 5.05V |
| Salida de voltaje - (Max): | 40V (Switch) |
| Tensión - Entrada (Min): | 7.5V |
| Tensión - Entrada (Max): | 40V |
| topología: | Buck, Boost |
| rectificador síncrono: | No |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK-5 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Tipo de salida: | Adjustable |
| Configuración de salida: | Positive or Negative |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Función: | Step-Up, Step-Down |
| Frecuencia - Conmutación: | 72kHz |
| Descripción detallada: | Buck, Boost Switching Regulator IC Positive or Negative Adjustable 5.05V 1 Output 3.3A (Switch) TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| Corriente - Salida: | 3.3A (Switch) |
| Número de pieza base: | MC33166 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MC33166D2TR4
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga