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MBRD835LT4G
- Número de pieza:
- MBRD835LT4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 28136 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MBRD835LT4G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 510mV @ 8A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 35V |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | SWITCHMODE™ |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | MBRD835LT4GOSCT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Schottky 35V 8A Surface Mount DPAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.4mA @ 35V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 8A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Número de pieza base: | MBRD835 |
| Email: | [email protected] |
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