MB89191APF-G-117-ERE1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MB89191APF-G-117-ERE1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MB89191APF-G-117-ERE1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MB89191APF-G-117-ERE1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MB89191APF-G-117-ERE1
- Número de pieza:
- MB89191APF-G-117-ERE1
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
- Descripción:
- IC MCU 8BIT 4KB MROM 28SOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 29622 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MB89191APF-G-117-ERE1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | 2.2 V ~ 6 V |
| Paquete del dispositivo: | 28-SOP |
| Velocidad: | 4.2MHz |
| Serie: | F²MC-8L MB89190A |
| Tamaño de RAM: | 128 x 8 |
| Tipo de memoria de programa: | Mask ROM |
| Tamaño de memoria de programa: | 4KB (4K x 8) |
| periféricos: | POR, WDT |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) |
| Tipo de oscilador: | External |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de E / S: | 20 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tamaño EEPROM: | - |
| Descripción detallada: | F²MC-8L F²MC-8L MB89190A Microcontroller IC 8-Bit 4.2MHz 4KB (4K x 8) Mask ROM 28-SOP |
| Convertidores de datos: | A/D 8x8b |
| Tamaño del núcleo: | 8-Bit |
| Procesador Core: | F²MC-8L |
| conectividad: | Serial I/O |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MB89191APF-G-117-ERE1
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial