MAX32620IWG+T está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MAX32620IWG+T, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MAX32620IWG+T por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MAX32620IWG+T con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MAX32620IWG+T
- Número de pieza:
- MAX32620IWG+T
- Fabricante:
- Maxim Integrated
- Descripción:
- IC MCU 32BIT 2MB FLASH 81WLP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 37066 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.MAX32620IWG+T.pdf2.MAX32620IWG+T.pdf3.MAX32620IWG+T.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | 1.14 V ~ 3.6 V |
| Paquete del dispositivo: | 81-WLP (3.95x4.11) |
| Velocidad: | 96MHz |
| Serie: | - |
| Tamaño de RAM: | 256K x 8 |
| Tipo de memoria de programa: | FLASH |
| Tamaño de memoria de programa: | 2MB (2M x 8) |
| periféricos: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 81-WFBGA, WLBGA |
| Otros nombres: | MAX32620IWG+TDKR |
| Tipo de oscilador: | Internal |
| Temperatura de funcionamiento: | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Número de E / S: | 49 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tamaño EEPROM: | - |
| Descripción detallada: | ARM® Cortex®-M4F - Microcontroller IC 32-Bit 96MHz 2MB (2M x 8) FLASH 81-WLP (3.95x4.11) |
| Convertidores de datos: | A/D 4x10b |
| Tamaño del núcleo: | 32-Bit |
| Procesador Core: | ARM® Cortex®-M4F |
| conectividad: | 1-Wire, I²C, SPI, UART/USART, USB |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MAX32620IWG+T
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash