MAX17535ETG+ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MAX17535ETG+, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MAX17535ETG+ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MAX17535ETG+ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MAX17535ETG+
- Número de pieza:
- MAX17535ETG+
- Fabricante:
- Maxim Integrated
- Descripción:
- IC SMBUS BATT CHRGR HF 24TQFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 43082 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.MAX17535ETG+.pdf2.MAX17535ETG+.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Alimentación de voltaje (máx.): | 26V |
| Paquete del dispositivo: | 24-TQFN (4x4) |
| Serie: | - |
| Funciones programables: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 24-WFQFN Exposed Pad |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de células: | 2 ~ 4 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaz: | I²C |
| Protección contra fallos: | Over Voltage |
| Descripción detallada: | Charger IC Multi-Chemistry 24-TQFN (4x4) |
| Corriente - Carga: | Constant - Programmable |
| Corriente de carga - Max: | 7A |
| Voltaje de la batería: | 16.8V |
| Química de la batería: | Multi-Chemistry |
| Número de pieza base: | MAX17535 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MAX17535ETG+
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos