MAX16910EASA8/V+ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para MAX16910EASA8/V+, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para MAX16910EASA8/V+ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre MAX16910EASA8/V+ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
MAX16910EASA8/V+
- Número de pieza:
- MAX16910EASA8/V+
- Fabricante:
- Maxim Integrated
- Descripción:
- 200MA AUTOMOTIVE ULTRA-LOW UIE
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49253 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MAX16910EASA8/V+.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Caída de tensión (máx.): | 0.6V @ 200mA |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | 1.5V (3.3V, 5V) |
| Salida de voltaje - (Max): | 11V |
| Tensión - Entrada (Max): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC-EP |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Características de protección: | Over Temperature, Short Circuit |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| PSRR: | 60dB (100Hz) |
| Tipo de salida: | Adjustable (Fixed) |
| Configuración de salida: | Positive |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Cantidad de reguladores: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | Vendor Undefined |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Linear Voltage Regulator IC 1 Output 200mA 8-SOIC-EP |
| Actual - Quiescente (Iq): | 30µA |
| Corriente - Salida: | 200mA |
| Funciones de control: | Enable, Reset |
| Número de pieza base: | MAX16910 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de MAX16910EASA8/V+
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga