M74HC10B1R está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para M74HC10B1R, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para M74HC10B1R por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre M74HC10B1R con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
M74HC10B1R
- Número de pieza:
- M74HC10B1R
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descripción:
- IC GATE NAND 3CH 3-INP 14DIP
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 30333 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- M74HC10B1R.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 2 V ~ 6 V |
| Paquete del dispositivo: | 14-DIP |
| Serie: | 74HC |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Otros nombres: | 497-1759-5 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Número de entradas: | 3 |
| Número de circuitos: | 3 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max retraso de propagación @ V, máx CL: | 13ns @ 6V, 50pF |
| Tipo de lógica: | NAND Gate |
| Lógica - Bajo: | 0.5 V ~ 1.8 V |
| Lógica - Alto: | 1.5 V ~ 4.2 V |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Caracteristicas: | - |
| Descripción detallada: | NAND Gate IC 3 Channel 14-DIP |
| Corriente - Reposo (Máx): | 1µA |
| Actual - salida alta, bajo: | 5.2mA, 5.2mA |
| Número de pieza base: | 74HC10 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de M74HC10B1R
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga