M25PX32SOVZM6F TR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para M25PX32SOVZM6F TR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para M25PX32SOVZM6F TR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre M25PX32SOVZM6F TR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
M25PX32SOVZM6F TR
- Número de pieza:
- M25PX32SOVZM6F TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC FLASH 32M SPI 75MHZ 24TPBGA
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 52616 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- M25PX32SOVZM6F TR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ms, 5ms |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FLASH - NOR |
| Paquete del dispositivo: | 24-T-PBGA (6x8) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 24-TBGA |
| Otros nombres: | M25PX32SOVZM6F CT M25PX32SOVZM6F CT-ND M25PX32SOVZM6FCT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 32Mb (4M x 8) |
| Interfaz de memoria: | SPI |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NOR Memory IC 32Mb (4M x 8) SPI 75MHz 24-T-PBGA (6x8) |
| Frecuencia de reloj: | 75MHz |
| Número de pieza base: | M25PX32 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de M25PX32SOVZM6F TR
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash