LT6200CS6-5#TRM está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para LT6200CS6-5#TRM, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para LT6200CS6-5#TRM por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre LT6200CS6-5#TRM con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
LT6200CS6-5#TRM
- Número de pieza:
- LT6200CS6-5#TRM
- Fabricante:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Descripción:
- IC OPAMP BUFFER 800MHZ TSOT23-6
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 56503 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- LT6200CS6-5#TRM.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Alimentación de voltaje, simple / doble (±): | 2.5 V ~ 12.6 V, ±1.25 V ~ 6.3 V |
| Voltaje - Offset de entrada: | 2.5mV |
| Paquete del dispositivo: | TSOT-23-6 |
| Velocidad de subida: | 250 V/µs |
| Serie: | - |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tipo de salida: | Rail-to-Rail |
| Otros nombres: | LT6200CS6-5 LT6200CS6-5#TRMCT LT6200CS6-5-ND LT6200CS65TRM |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Producto ganancia-ancho: | 800MHz |
| Descripción detallada: | Buffer Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail TSOT-23-6 |
| Suministro de corriente: | 20mA |
| Corriente - Salida / Canal: | 90mA |
| Corriente - polarización de entrada: | 23µA |
| Número de pieza base: | LT6200 |
| Tipo amplificador: | Buffer |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de LT6200CS6-5#TRM
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial