LK1608R56M-T está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para LK1608R56M-T, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para LK1608R56M-T por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre LK1608R56M-T con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
LK1608R56M-T
- Número de pieza:
- LK1608R56M-T
- Fabricante:
- Taiyo Yuden
- Descripción:
- FIXED IND 560NH 80MA 1.05 OHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 31289 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.LK1608R56M-T.pdf2.LK1608R56M-T.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Multilayer |
| Tolerancia: | ±20% |
| Paquete del dispositivo: | 0603 (1608 Metric) |
| Tamaño / Medidas: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | LK |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | 15 @ 25MHz |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 0603 (1608 Metric) |
| Otros nombres: | LF LK 1608 R56M-T LK1608R56MT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | - |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 25MHz |
| Inductancia: | 560nH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.037" (0.95mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 95MHz |
| Descripción detallada: | 560nH Unshielded Multilayer Inductor 80mA 1.05 Ohm Max 0603 (1608 Metric) |
| Resistencia de CC (DCR): | 1.05 Ohm Max |
| Valoración actual: | 80mA |
| Corriente - Saturación: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de LK1608R56M-T
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
LK1608R47M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 470NH 80MA 950 MOHM | Investigación |
 |
LK1AF-24V | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 24V | Investigación |
|
LK1608R39K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 390NH 80MA 850 MOHM | Investigación |
|
LK1AF-5V | Panasonic | RELAY GENERAL PURPOSE SPST 5A 5V | Investigación |
|
LK1608R33K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 330NH 80MA 750 MOHM | Investigación |
|
LK1608R22M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 220NH 100MA 550 MOHM | Investigación |
|
LK1608R27M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 270NH 100MA 800 MOHM | Investigación |
|
LK1608R68M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 680NH 40MA 1.25 OHM | Investigación |
|
LK1608R27K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 270NH 100MA 800 MOHM | Investigación |
|
LK1608R47K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 470NH 80MA 950 MOHM | Investigación |
|
LK1608R82M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 820NH 40MA 1.4 OHM SMD | Investigación |
|
LK1608R18K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 180NH 100MA 500 MOHM | Investigación |
|
LK1AF-12V | Panasonic | RELAY GEN PURPOSE SPST 5A 12V | Investigación |
|
LK1608R68K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 680NH 40MA 1.25 OHM | Investigación |
|
LK1608R22K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 220NH 100MA 550 MOHM | Investigación |
|
LK1608R18M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 180NH 100MA 500 MOHM | Investigación |
|
LK1608R82K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 820NH 40MA 1.4 OHM SMD | Investigación |
|
LK1608R56K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 560NH 80MA 1.05 OHM | Investigación |
|
LK1608R33M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 330NH 80MA 750 MOHM | Investigación |
|
LK1608R39M-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 390NH 80MA 850 MOHM | Investigación |
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash